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形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法

摘要

公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法,包括:通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理,其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理,其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。

著录项

  • 公开/公告号CN102479918B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201110386624.8

  • 发明设计人 申喜珠;郑峻昊;李将银;吴世忠;

    申请日2011-11-29

  • 分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);H01L27/22(20060101);G11C11/15(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈源;张帆

  • 地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-16

    授权

    授权

  • 2013-12-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20111129

    实质审查的生效

  • 2012-05-30

    公开

    公开

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