公开/公告号CN103400699B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201310337248.2
申请日2013-08-05
分类号H01G9/20(20060101);H01G9/042(20060101);H01B5/00(20060101);H01B13/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人牟永林
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 09:36:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-09
授权
授权
2013-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/20 申请日:20130805
实质审查的生效
2013-11-20
公开
公开
机译: ZnO ZnO纳米棒阵列及其制备方法
机译: 配体修饰的量子点组合物,配体修饰的量子点层,其制备方法,量子点发光二极管
机译: 配体修饰的量子点组成,配体修饰的量子点层,其制备方法以及量子点发光二极管