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一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法

摘要

一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法,它涉及一种阵列电极及其制备方法。本发明是要解决ZnO纳米材料在可见光下光催化效率低,对太阳光的利用率低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行:一、以导电玻璃为基底,采用水热法制得高度有序的ZnO纳米棒阵列;二、在上述ZnO纳米棒阵列表面交替沉积聚电解质和量子点颗粒,获得均匀包覆的量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极。本发明制备光电极的方法对ZnO纳米棒阵列的长度和包覆的量子点的厚度可控;本发明制得的电极在可见光照射下,表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性。本发明用于光电催化降解环境污染物、光电催化合成和光解水产氢领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103400699B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201310337248.2

  • 发明设计人 刘丹青;刘绍琴;杨彬;

    申请日2013-08-05

  • 分类号H01G9/20(20060101);H01G9/042(20060101);H01B5/00(20060101);H01B13/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人牟永林

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-09

    授权

    授权

  • 2013-12-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G9/20 申请日:20130805

    实质审查的生效

  • 2013-11-20

    公开

    公开

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