改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法

摘要

改善光刻胶固化后变形及半导体器件保护层曝光的方法，在对光刻胶层进行曝光前增加添加图形偏移量的步骤：提供参考晶片；根据原始的图形曝光参数在原始参考半导体器件上得到原始保护层，观察原始保护层的变形情况；在原始图形曝光参数的基础上加入图形偏移量，在偏移参考半导体器件上获得相对应的偏移参考保护层，观察偏移参考保护层的变形情况；确定出没有变形且窗口较大的校正图形；确定出校正图形相对于原始光刻图形的图形偏移量，包括X轴方向的偏移量ΔX以及Y轴方向的偏移量ΔY，得到对应的图形偏移量参数；将图形偏移量参数添加至图形曝光参数中，进行曝光。本发明使保护层图形的关键位置在曝光时避开衬底上的不稳定点，改善图形的变形。