公开/公告号CN103762255B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201410035355.4
申请日2014-01-24
分类号H01L31/0236(20060101);H01L31/0288(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/09(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人宋焰琴
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:36:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-09
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0236 授权公告日:20160302 终止日期:20170124 申请日:20140124
专利权的终止
2016-03-02
授权
授权
2014-06-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0236 申请日:20140124
实质审查的生效
2014-04-30
公开
公开
机译: 用硫族元素掺杂硅的方法
机译: 用于氮化铟镓型发光二极管的半导体芯片包括由氮化物材料制成的半导体层和n掺杂层,其中n掺杂剂比硅或元素周期表中特定族的元素重
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