首页> 中国专利> 一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺

一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺

摘要

本发明公开了一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺,本发明在制造MWT背接触太阳能电池时,将减反射膜完全覆盖住正面电极,即正面电极不需要穿透减反射膜直接与硅片接触,降低了串联电阻,提高了电池转换效率。同时印刷正面电极银浆时的穿透深度也更加容易控制,使得工艺简化。正面电极在减反射膜的完全覆盖下,不与外界直接接触,提高了该正面电极的抗腐蚀性和抗氧化能力。

著录项

  • 公开/公告号CN103337553B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京日托光伏科技有限公司;

    申请/专利号CN201310218746.5

  • 发明设计人 张凤英;

    申请日2013-06-04

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/0216(20140101);

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人柏尚春

  • 地址 211800 江苏省南京市浦口经济开发区步月路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-10

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/0224 登记生效日:20190423 变更前: 变更后: 申请日:20130604

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-03-05

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L31/0224 变更前: 变更后: 申请日:20130604

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-06-06

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L31/0224 变更前: 变更后: 申请日:20130604

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-03-23

    授权

    授权

  • 2014-10-29

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/18 变更前: 变更后: 申请日:20130604

    著录事项变更

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130604

    实质审查的生效

  • 2013-10-02

    公开

    公开

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