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MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器

摘要

本发明适用于存储技术领域,提供了一种MLC?NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器,用以将MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片,该读写控制方法包括:将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页,其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成,另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成;对MLC型闪存芯片进行读写操作时,仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。借此,本发明能将MLCNAND型固态硬盘仿真为SLC?NAND型固态硬盘,提高了MLC?NAND型固态硬盘的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN103049217B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 记忆科技(深圳)有限公司;

    申请/专利号CN201210523891.X

  • 发明设计人 金明;

    申请日2012-12-07

  • 分类号

  • 代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘健

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头东南工贸大厦5楼

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    授权

    授权

  • 2013-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F3/06 申请日:20121207

    实质审查的生效

  • 2013-04-17

    公开

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