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公开/公告号CN103173791B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;
申请/专利号CN201310057048.1
发明设计人 尹刚;尹艺臻;李卓蔓;沈重衡;尹松;尹冬;张艳怡;尹在之;白家扬;尹平;
申请日2013-02-22
分类号
代理机构重庆市前沿专利事务所(普通合伙);
代理人郭云
地址 400045 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2022-08-23 09:36:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
授权
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):C25C3/20 申请日:20130222
实质审查的生效
2013-06-26
公开
机译: 高压金属氧化物半导体场效应晶体管具有中间漏极连接区,作为多晶硅栅板中接近中断处的体槽和漏极延伸之间的桥梁
机译: 用于产生栅极引起的漏极泄漏电流槽或开关FET的源路径的方法和设备
机译: 槽漏
机译:基于吸收压缩制冷系统的耦合,有机朗肯循环和太阳抛抛光槽收集器的集成低温天然气工艺能量,漏极和捏分析
机译:螺旋吸收管对抛物线太阳能槽收集器能量和漏极分析的影响 - 计算分析
机译:薄膜冷却图案在飞机发动机涡轮机端部带有槽漏和离散孔注射
机译:贴片槽漏波右旋圆极化天线,辐射器中带有附加螺旋槽
机译:确定结肠和直肠切除术后吻合口漏的重要预测因素,并建立吻合口漏预测模型。
机译:具有大模面积和单模工作能力的抗弯漏多槽光纤
机译:在铁磁基板上部分开放的非齐次槽线的复杂漏波
机译:无线传感器网络中的漏槽避免路由