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标准单元、半导体器件以及标准单元的布局和布线方法

摘要

本发明提供标准单元、半导体器件以及标准单元的布局和布线方法。将使得具有多个标准单元的半导体器件的芯片面积更小。半导体器件包括第一标准单元和第二标准单元。第一标准单元包括扩散区域、与扩散区域相对的功能器件区域以及金属层。第二标准单元包括与该扩散区域连续的另一扩散区域、与该另一扩散区域相对的另一功能器件区域以及形成在另一扩散区域与另一功能器件区域之间的又一扩散区域。金属层与该另一功能器件区域通过扩散区域电耦合在一起。

著录项

  • 公开/公告号CN102237362B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞萨电子株式会社;

    申请/专利号CN201110120289.7

  • 发明设计人 大村浩史;

    申请日2011-05-06

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-19

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/04 授权公告日:20160302 终止日期:20180506 申请日:20110506

    专利权的终止

  • 2016-03-02

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L27/04 变更前: 变更后: 申请日:20110506

    著录事项变更

  • 2013-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/04 申请日:20110506

    实质审查的生效

  • 2011-11-09

    公开

    公开

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