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公开/公告号CN103066210B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江金贝能源科技有限公司;
申请/专利号CN201210595002.0
发明设计人 韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;姚英;
申请日2012-12-28
分类号
代理机构杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人魏亮
地址 311500 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区石珠路288号
入库时间 2022-08-23 09:35:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-02
授权
2013-05-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/48 申请日:20121228
实质审查的生效
2013-04-24
公开
机译: 异质结太阳能电池的制造方法,异质结太阳能电池和异质结晶体硅电子器件
机译: 非晶和纳米氮化硅的p型异质结周围的太阳能电池-硅
机译: 具有晶体硅P-N同质结和非晶硅异质结以进行表面钝化的太阳能电池
机译:在p型晶体硅上具有新型氟化n型纳米晶体氧化硅发射极的硅异质结太阳能电池
机译:高效率平面硅/有机异质结太阳能电池的高效平面硅/有机异质结太阳能电池(3,4-亚乙二醇苯噻吩嵌入聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酰硫代特)
机译:薄膜晶体硅太阳能电池中掺硼的p型氢化非晶硅和晶体硅之间异质结处的后场效应
机译:P型单晶硅对多晶/晶体单异质结和双异质结太阳能电池的优化
机译:晶体硅的低温表面钝化及其在指叉背接触硅异质结(ibc-shj)太阳能电池中的应用。
机译:p型介观氧化镍/有机金属钙钛矿异质结太阳能电池
机译:用于硅异质结太阳能电池的预制作摩擦处理和氢化处理:使用低寿命商业级P型Czochralski硅的电路> 700 mV开路电压的可能路径
机译:具有非晶/晶体硅异质结作为背接触的高效晶体硅太阳能电池。