公开/公告号CN1190834C
专利类型发明授权
公开/公告日2005-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN02107465.8
申请日2002-03-19
分类号H01L21/82;H01L21/8247;H01L21/00;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人李强
地址 中国台湾
入库时间 2022-08-23 08:57:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2005-02-23
授权
授权
2003-09-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-07-02
公开
公开
2002-06-26
实质审查的生效
实质审查的生效
机译: 单独地包括可编程电荷存储晶体管的垂直串,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构以及以单独的单独形成垂直存储器单元的垂直存储器单元的方法,包括可编程电荷存储晶体管,包括控制栅极和电荷存储结构
机译: 分别包括具有控制栅极和电荷存储结构的可编程电荷存储晶体管的垂直存储单元串以及形成单独包括具有控制栅极和电荷存储结构的可编程电荷存储晶体管的垂直存储单元串的方法
机译: 分别包括具有控制栅极和电荷存储结构的可编程电荷存储晶体管的垂直存储单元串以及形成单独包括具有控制栅极和电荷存储结构的可编程电荷存储晶体管的垂直存储单元串的方法