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公开/公告号CN102822896B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-24
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201180015333.6
发明设计人 陈南;里图·哈巴;
申请日2011-03-22
分类号G11C7/00(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人宋献涛
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:35:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-24
授权
2013-01-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/00 申请日:20110322
实质审查的生效
2012-12-12
公开
机译: 具有基于定时和数据感测方法可操作为半锁存型和全锁存型的读出放大器的半导体存储器件
机译: MOS晶体管偏置-偏置差分电流-锁存型感测放大器
机译: 读出放大器锁存电路和读出放大器复用锁存电路
机译:用于耦合抑制的28nm锁存型感测放大器修改
机译:各种锁存型感测放大器的比较研究
机译:锁存型电压感测放大器的良率和速度优化
机译:具有设置和保持时间为18ps的双尾锁存型电压感测放大器
机译:p53肿瘤抑制蛋白在电离辐射诱导的DNA双链断裂感测中的作用。
机译:DNA结合和锌感测需要从锌感测1(Loz1)的转录因子丢失中获得双锌指结构域和相邻的辅助结构域。
机译:micrel mIC4424双功率mOsFET驱动器的单事件锁存测试。