公开/公告号CN103107216B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-24
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201210448358.1
申请日2012-11-09
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:35:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-24
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20121109
实质审查的生效
2013-05-15
公开
公开
机译: 无缓冲制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法
机译: 通过无缓冲制造工艺生产薄膜太阳能电池的方法
机译: 形成镀膜对象的金属膜的情况为无电沉积模量,其利用无电沉积模量形成金属膜,而利用无电沉积模量形成金属膜。