首页> 中国专利> 利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法

利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法

摘要

一种利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法。一种薄膜太阳能电池及其形成方法。该太阳能电池包括底部电极层、光吸收半导体层、以及顶部电极层。该吸收剂层包括p-型内部区和在该层的周界周围由p-型内部区的改性本征区域形成的n-型外部区,从而形成作为吸收剂层固有部分的有源n-p结。该顶部电极层经由在限定侧壁的吸收剂层中形成的划线电连接于底部电极层。该吸收剂层的n-型外部区沿着吸收剂层的水平顶部延伸并在划线的垂直侧壁上延伸,以增加太阳能电池中的可用n-p结的面积,从而改善太阳光转化效率。

著录项

  • 公开/公告号CN103107216B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210448358.1

  • 发明设计人 李文钦;余良胜;严文材;邱永升;

    申请日2012-11-09

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:35:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-24

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20121109

    实质审查的生效

  • 2013-05-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号