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使用薄平面半导体的高效光伏背触点太阳能电池结构和制造方法

摘要

本发明提供了背结背触点太阳能电池及其制造方法。所述背结背触点太阳能电池包括衬底,所述衬底具有:具有钝化层的光捕获正面表面,掺杂的基极区域,以及掺杂的背面发射极区域,所述背面发射极区域的极性与掺杂的基极区域相反。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成光捕获背面反射镜。在所述太阳能电池的背面设置交叉指状金属化图案,并且为该电池的支撑提供永久性加强物。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/042 授权公告日:20160127 终止日期:20171209 申请日:20101209

    专利权的终止

  • 2016-01-27

    授权

    授权

  • 2012-12-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/042 申请日:20101209

    实质审查的生效

  • 2012-10-31

    公开

    公开

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