首页> 中国专利> DRAM中非均匀分布冗余的修复方法

DRAM中非均匀分布冗余的修复方法

页面导航

摘要

本发明涉及一种DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。包括步骤：1.制作非均匀分布冗余的DRAM修复文件；2.虚拟冗余强制失效处理；3完成DRAM中非均匀分布冗余的修复。本发明提供了一种简洁、提高准确度、提高设计灵活性的DRAM中非均匀分布冗余的修复方法。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-02

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C29/44 变更前: 变更后: 申请日:20130319

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-01-27

授权

授权
2013-08-07

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/44 申请日:20130319

实质审查的生效
2013-07-10

公开

公开

1. DRAM中非均匀分布冗余的修复方法 [P] . 中国专利： CN103198870B . 2016.01.27
2. 基于宽I/O DRAM的2.5D/3D系统芯片的DRAM修复架构 [P] . 中国专利： CN102956271B . 2015.12.16
3. Method of making a DRAM capacitor for use as an programmable antifuse for redundancy repair/options on a DRAM [P] . 美国专利： US5110754A . 1992-05-05

机译：制造用作可编程反熔丝以进行DRAM上的冗余修复/选择的DRAM电容器的方法
4. Repairing Advanced-Memory Buffer (AMB) with redundant memory buffer for repairing DRAM on a fully-buffered memory-module [P] . 美国专利： US7474576B2 . 2009-01-06

机译：使用冗余内存缓冲区修复高级内存缓冲区（AMB），以修复全缓冲内存模块上的DRAM
5. Repairing advanced-memory buffer (AMB) with redundant memory buffer for repairing DRAM on a fully-buffered memory-module [P] . 美国专利： US7619938B2 . 2009-11-17

机译：使用冗余内存缓冲区修复高级内存缓冲区（AMB），以修复全缓冲内存模块上的DRAM