用于在NAND闪存中字线的快速稳定的技术

摘要

在非易失性存储器设备中，写操作通常由交替的脉冲和验证操作组成。在施加脉冲之后，必须适当地对该设备施加偏压以用于精确的验证，其中选择的字线稳定在期望的电平。这里描述的技术解决当选择的字线正移动到其第一验证电平（Vcgrvl）、而同时NAND类型阵列的未选择的字线斜升到读取通过电平（read？pass？level）(Vread)时，在写操作的验证阶段的开始处相对大的等待时间的问题。对于未选择的字线，在编程脉冲期间，其被设置为高于接地的第一电压（Vpass）并且随后，在验证操作期间，被设置为读取通过电平。将未选择的字线直接从其在脉冲阶段的电压直接移到其读取通过电平，而不是在两者之间使该未选择的字线接地。这帮助降低选择的字线中由于电容性耦合造成的移动量，从而允许更早准备选择的字线设置的验证电平。