公开/公告号CN102347364B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-20
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;
申请/专利号CN201110206325.1
申请日2011-07-22
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人曲宝壮
地址 奥地利菲拉赫
入库时间 2022-08-23 09:33:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-20
授权
授权
2012-03-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20110722
实质审查的生效
2012-02-08
公开
公开
机译: 非穿通半导体器件绝缘栅双极晶体管,补偿区域嵌入中性漂移区区域,并设置在漂移区的弱掺杂区域和背面发射极区域之间
机译: 功率半导体器件绝缘栅双极晶体管器件,具有在区域和衬底范围之间具有漂移距离的半导体元件,以及具有填充有半导体材料的沟槽结构的区域部分
机译: 半导体元件MOS场效应晶体管具有布置在沟渠壁上的中间区域,该中间区域相对于负载补偿区域和漂移区域具有高阻抗