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一种用于高压功率MOSFET电路中的高压大电流控制电路

摘要

一种用于高压功率MOSFET中的高压大电流控制电路,包括PMOS管MP1、MP2和MP3,三极管Q1和Q2,MOSFET管M1和M2,电阻R1和R2。MP1、MP2和MP3共栅极,源极与VDD连接,MP2和MP3的漏极分别与Q1和Q2的集电极连接。Q1和Q2的基极互连,Q1和Q2的发射极分别与R1和R2连接。M1和M2共栅极,共漏极,M1的源极与R1连接。M2的源极、R1和R2接地。Q1与Q2互相匹配,R1与R2是按照比例关系的匹配电阻。M1和M2的宽长比为一定比例。本发明不考虑晶体管沟道长度调制效应,由R1引入负反馈,将大电流转化为电流比较信号,实现了在高电压大电流模式下对电流的精确控制。

著录项

  • 公开/公告号CN103645765B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 嘉兴中润微电子有限公司;

    申请/专利号CN201310719131.0

  • 申请日2013-12-20

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构31220 上海旭诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁惠敏

  • 地址 314006 浙江省嘉兴市凌公塘路3339号(嘉兴科技城)综合楼303室

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-13

    授权

    授权

  • 2014-04-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/56 申请日:20131220

    实质审查的生效

  • 2014-03-19

    公开

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