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在石英基片上沉积金刚石膜的方法

摘要

本申请公开了一种在石英基片上制备金刚石膜的方法,包括石英基片表面的清洗制备、二氧化硅溶胶的制备、石英基片上制备单层二氧化硅薄膜、制备多层掺纳米金刚石的二氧化硅薄膜、酸刻蚀、基片表面的预处理、沉积金刚石膜步骤。本发明的方法较传统的金刚石表面图形化的优势在于薄膜附着力好,沉积质量高,使用寿命长,操作简单可行,该方法能够应用于各种光学器件,光学窗口等保护涂层。

著录项

  • 公开/公告号CN103787585B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京美顺达技术开发有限公司;

    申请/专利号CN201410047193.6

  • 发明设计人 郑阳;

    申请日2014-02-10

  • 分类号

  • 代理机构北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人方挺

  • 地址 100079 北京市丰台区永外东铁匠营五间楼10号A座D16室

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C17/22 授权公告日:20160113 终止日期:20180210 申请日:20140210

    专利权的终止

  • 2016-01-13

    授权

    授权

  • 2014-06-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C03C17/22 申请日:20140210

    实质审查的生效

  • 2014-05-14

    公开

    公开

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