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半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法

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形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数Φ

著录项

公开/公告号CN103548133B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-23

原文格式PDF
申请/专利权人住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所;
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申请/专利号CN201280025380.3
发明设计人高田朋幸;山田永;秦雅彦;高木信一;前田辰郎;卜部友二;安田哲二;
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申请日2012-06-11
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人李国华
地址日本国东京都
入库时间 2022-08-23 09:33:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/8238 授权公告日:20151223 终止日期:20170611 申请日:20120611

专利权的终止
2015-12-23

授权

授权
2014-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8238 申请日:20120611

实质审查的生效
2014-01-29

公开

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