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具有降低的表面电阻的掺杂石墨烯膜

摘要

提供一种通过化学掺杂来增加石墨烯膜的导电性的技术。在本发明的一个方面中,一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法包括以下步骤。通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜。将石墨烯片暴露到具有单电子氧化剂的溶液,所述溶液被配置为掺杂石墨烯片从而增加石墨烯片的导电性,进而增加膜的总导电性。石墨烯膜可以在将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液之前形成。可选地,在形成石墨烯膜之前将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液。还提供一种用于通过石墨烯膜在光伏器件上制造透明电极的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103081027B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201180040066.8

  • 申请日2011-06-07

  • 分类号H01B1/04(20060101);H01L51/00(20060101);H01L51/44(20060101);C01B31/04(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静;张亚非

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-17

    专利权的转移 IPC(主分类):H01B1/04 登记生效日:20171031 变更前: 变更后: 申请日:20110607

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-01-06

    授权

    授权

  • 2013-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B1/04 申请日:20110607

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    公开

    公开

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