Al₂O₃陶瓷基底上TiO₂纳米管有序阵列的制备

摘要

本发明公开一种Al₂O₃陶瓷基底上TiO₂纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al₂O₃陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al₂O₃陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO₂纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO₂纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。