在单晶圆装置中蚀刻氮化硅

摘要

本发明公开了一种单晶圆蚀刻装置和在单晶圆装置中实施的各种方法。在实例中，在单晶圆蚀刻装置中蚀刻氮化硅层包括：将磷酸加热至第一温度；将硫酸加热至第二温度；将经过加热的磷酸和经过加热的硫酸混合；将磷酸/硫酸混合物加热至第三温度；以及利用经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻氮化硅层。本发明还提供了一种在单晶圆装置中蚀刻氮化硅。