法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
专利权的转移 IPC(主分类):H01J49/02 登记生效日:20191212 变更前: 变更后: 申请日:20120910
专利申请权、专利权的转移
2019-12-17
专利权的转移 IPC(主分类):H01J49/02 登记生效日:20191127 变更前: 变更后: 申请日:20120910
专利申请权、专利权的转移
2015-12-09
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J49/02 申请日:20120910
实质审查的生效
2012-12-19
公开
公开
机译: 具有栅电极级的集成电路,其包括至少六个线形导电结构,该至少六个线形导电结构形成具有至少一对具有偏置端的线形导电结构的晶体管的栅电极
机译: 具有包括部分由栅极水平网格上的矩形布局形状形成的栅电极特征的区域和部分由至少第一金属垂直网格上的八条第一金属网格线形成的矩形结构形状的第一金属结构的半导体芯片
机译: 一种调节晶体管的功函数的方法和结构,该晶体管具有高介电常数的栅电极绝缘体和金属栅电极(HKmg)。