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具有大靶的用于高压溅射的溅射源和溅射方法

摘要

在本发明的范围内,开发一种溅射头,其具有用于溅射靶的容纳面(靶容纳部)。该溅射头具有一个或多个磁场源以用于生成漏磁场。根据本发明,至少一个磁场源的北磁极和南磁极彼此相距10mm或更低、优选5mm更低、并且特别优选大致1mm,其中在所述磁场源之间形成漏磁场。已经认识到,恰好在0.5毫巴或更高的高溅射气体压力下进行溅射时,可以通过这样的局部有效的磁场来局部地匹配溅射等离子体的电离度以及因此溅射靶上的侵蚀速率。由此,所获得的层在衬底表面上的厚度变得更均匀。溅射头有利地附加地具有固体绝缘体,所述固体绝缘体包围具有靶容纳面的基体以及溅射靶(全部处于电势上)并且同在空间上将材料侵蚀限制到溅射靶上(限制到物料)的屏蔽体电绝缘。

著录项

  • 公开/公告号CN103168338B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 于利奇研究中心有限公司;

    申请/专利号CN201180050880.8

  • 发明设计人 M.法利;U.波佩;

    申请日2011-09-17

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杜荔南

  • 地址 德国于利奇

  • 入库时间 2022-08-23 09:32:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J37/34 授权公告日:20151125 终止日期:20180917 申请日:20110917

    专利权的终止

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/34 申请日:20110917

    实质审查的生效

  • 2013-06-19

    公开

    公开

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