一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe？HBT工艺中的PIS电容器，包括：硅衬底、浅沟槽隔离、P阱、P型重掺杂区、氧化层、锗硅外延层、隔离侧墙、接触孔和金属线，所述硅衬底上具有浅沟槽隔离和P阱，所述P阱上具有P型重掺杂区，所述浅沟槽隔离与P阱、P型重掺杂区相邻，所述P型重掺杂区上具有氧化层，所述氧化层上具有锗硅外延层，所述隔离侧墙与氧化层、锗硅外延层相邻，所述P阱和锗硅外延层通过接触孔引出连接金属线作为电容器的两端。本发明还公开了所述PIS电容器的制作方法。本发明的PIS电容器及其制造方法打破SiGe？HBT工艺中没有PIS电容相关结构的局限，使SiGe？HBT工艺增加一种器件选择。