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CMOS器件的IDDQ测试

摘要

CMOS器件的DDQ测试。方法实施例包括应用测试图案输入至一器件,此器件包括一个或多个CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管,以及针对此器件获得电流测量,电流测量中的每一个是应用该测试图案的输入至该器件之后对电流的测量。滤波函数被应用至此电流测量,应用此滤波函数包括从电流测量分离缺陷电流值。此方法还包括至少部分地基于此缺陷电流值与阈值的比较来确定当前的器件中是否有缺陷。

著录项

  • 公开/公告号CN103261902B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美国莱迪思半导体公司;

    申请/专利号CN201180060400.6

  • 发明设计人 薛真成;

    申请日2011-11-29

  • 分类号G01R31/28(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人高见

  • 地址 美国俄勒冈州

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R31/28 登记生效日:20151030 变更前: 变更后: 申请日:20111129

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-12-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/28 申请日:20111129

    实质审查的生效

  • 2013-08-21

    公开

    公开

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