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提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法

摘要

本发明公开了提高氮化铝陶瓷基片厚膜附着力的方法,包括:(1)在高真空环境中对氮化铝陶瓷基片进行加热烘烤,加热和抽真空同步进行,将水汽完全挥发和抽掉;(2)在高真空环境下,用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺,在氮化铝陶瓷基片的正面利用金属掩模选择性地形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜,在氮化铝陶瓷基片的背面整体形成一层耐高温、高熔点复合金属薄膜;(3)在已形成复合金属薄膜的氮化铝陶瓷基片正面进行厚膜导带、厚膜阻带的丝网印刷、烧结和调阻,进行常规混合集成,即得到附着力较高的氮化铝陶瓷基片。用本法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于高可靠装备系统领域。

著录项

  • 公开/公告号CN104072206B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 贵州振华风光半导体有限公司;

    申请/专利号CN201410304879.9

  • 申请日2014-06-30

  • 分类号

  • 代理机构贵阳中工知识产权代理事务所;

  • 代理人刘安宁

  • 地址 550018 贵州省贵阳市新添大道北段238号

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-04

    授权

    授权

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B41/88 申请日:20140630

    实质审查的生效

  • 2014-10-01

    公开

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