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用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐

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本发明涉及通式In

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-17

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C07F5/00 变更前: 变更后: 申请日:20110712

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-11-25

授权

授权
2013-08-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C07F5/00 申请日:20110712

实质审查的生效
2013-03-20

公开

公开

1. 用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐 [P] . 中国专利： CN102985429B . 2015.11.25
2. 用于制备含氧化铟层的铟氧桥醇盐 [P] . 中国专利： CN102985429A . 2013-03-20
3. Indium oxo alkoxide for the preparation of indium oxide containing layer [P] . 日本专利： JP2013532640A . 2013-08-19

机译：含氧铟醇盐用于制备含氧化铟层
4. Indium oxo alkoxide for the preparation of indium oxide containing layer [P] . 日本专利： JP2013538792A . 2013-10-17

机译：含氧铟醇盐用于制备含氧化铟层
5. Indium oxoalkoxides for producing indium oxide-containing layer, their preparation and use thereof [P] . 日本专利： JP5877832B2 . 2016-03-08

机译：用于生产含氧化铟层的氧代烷氧基铟，其制备方法和用途