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在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1);在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2);和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。

著录项

  • 公开/公告号CN102534549B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN201110457396.9

  • 发明设计人 柿本明修;远藤笃史;久保万身;

    申请日2011-12-27

  • 分类号

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2013-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20111227

    实质审查的生效

  • 2012-07-04

    公开

    公开

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