公开/公告号CN1181523C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;
申请/专利号CN99810607.0
发明设计人 罗伯特·J·福斯特;
申请日1999-08-25
分类号H01L21/322;
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人马江立;杨晓光
地址 美国密苏里
入库时间 2022-08-23 08:57:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-28
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/322 授权公告日:20041222 终止日期:20140825 申请日:19990825
专利权的终止
2004-12-22
授权
授权
2001-10-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2001-10-24
公开
公开
机译: 珐琅或无氧石膏,特别是炊具,铸铁,带罗氏切边的铸铁或钢板
机译: 因此,理想的氧沉淀硅晶片和无氧扩散的工艺
机译: 硅晶片中的无氧制氧过程