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大块纳米晶碳化钨材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种大块纳米晶碳化钨陶瓷材料的制备方法。选用重量百分数分别为铝12-21%,三氧化钨75-86%,碳1-5%的粉状反应物,在350-380℃温度下制备大块纳米晶碳化钨陶瓷材料。该方法与制备纳米晶陶瓷材料的现有方法相比工艺及所需设备简单,成本明显降低,制备的材料具有较大的尺寸、良好的微观组织结构及力学性能。

著录项

  • 公开/公告号CN1178856C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;

    申请/专利号CN02147651.9

  • 发明设计人 薛群基;喇培清;刘维民;杨军;

    申请日2002-10-22

  • 分类号C01B31/34;C01B31/30;

  • 代理机构兰州中科华西专利代理有限公司;

  • 代理人方晓佳

  • 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水路342号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-12-20

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-12-08

    授权

    授权

  • 2003-07-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-04-16

    公开

    公开

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