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具有低写入电流的磁性随机存取内存

摘要

本发明涉及一种具有低写入电流的磁性随机存取内存,是以磁性接面组件为存储核心的磁性隧道结,在磁性接面组件单元的两侧放置能流通电流的金属柱,所组成的磁性随机存取内存的改良型结构。利用磁性接面组件附近或缠绕的金属柱感应所增加的总磁场,使磁性接面组件单元处的磁场强度有明显增强,以达到本发明具有低写入电流的磁性随机存取内在的目的与功效,进而使磁性随机存取内存功率消耗降低。

著录项

  • 公开/公告号CN1184643C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 财团法人工业技术研究院;

    申请/专利号CN02127098.8

  • 发明设计人 洪建中;高明哲;

    申请日2002-07-29

  • 分类号G11C11/15;

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈红

  • 地址 台湾省新竹县

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20050112 终止日期:20150729 申请日:20020729

    专利权的终止

  • 2005-01-12

    授权

    授权

  • 2003-05-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-19

    公开

    公开

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