公开/公告号CN1171288C
专利类型发明授权
公开/公告日2004-10-13
原文格式PDF
申请/专利权人 东京威力科创股份有限公司;
申请/专利号CN00815082.6
申请日2000-11-01
分类号H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/306;G03F7/42;B08B7/00;
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人卢新华;谭明胜
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:57:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-02-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/311 授权公告日:20041013 终止日期:20091201 申请日:20001101
专利权的终止
2011-02-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/311 授权公告日:20041013 终止日期:20091201 申请日:20001101
专利权的终止
2005-05-18
发明专利说明书更正更正 卷:20 号:41 页码:扉页 更正项目:优先权 正:1999.11.02 US 60/163116 申请日:20001101
发明专利说明书更正
2005-05-18
发明专利公报更正更正 卷:20 号:41 更正项目:优先权 正:1999.11.02 US 60/163116 申请日:20001101
发明专利公报更正
2005-05-18
发明专利说明书更正更正 卷:20 号:41 页码:扉页 更正项目:优先权 正:1999.11.02 US 60/163116 申请日:20001101
发明专利说明书更正
2005-05-18
发明专利公报更正更正 卷:20 号:41 更正项目:优先权 正:1999.11.02 US 60/163116 申请日:20001101
发明专利公报更正
2004-10-13
授权
授权
2004-10-13
授权
授权
2003-02-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-02-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-12-11
公开
公开
2002-12-11
公开
公开
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机译: 从衬底上去除光刻胶包括用超临界二氧化碳处理光刻胶,用基于臭氧的反应物处理光刻胶以及用去离子水去除光刻胶。
机译: 使用超临界二氧化碳法去除基材上的光刻胶和残留物
机译: 使用超临界二氧化碳法去除基材上的光刻胶和残留物