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具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器(SRAM)写入辅助电路

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摘要

描述了一种具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路（400）。在一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）增大在写入周期内提供的升压量，而在另一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）限制在较高电源电压处提供的升压量。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-17

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 7/12 登记生效日:20171030 变更前: 变更后: 申请日:20111118

专利申请权、专利权的转移
2017-11-17

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 7/12 登记生效日:20171030 变更前: 变更后: 申请日:20111118

专利申请权、专利权的转移
2015-07-08

授权

授权
2015-07-08

授权

授权
2013-08-28

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/12 申请日:20111118

实质审查的生效
2013-08-28

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/12 申请日:20111118

实质审查的生效
2013-07-31

公开

公开
2013-07-31

公开

公开

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1. 具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器(SRAM)写入辅助电路 [P] . 中国专利： CN103229242B . 2015.07.08
2. 静态随机存取存储器及其写入辅助电路和写入操作方法 [P] . 中国专利： CN109308925B . 2020.12.01
3. Static random access memory (SRAM) write assist circuit with leakage suppression and level control [P] . 英国专利： GB2501997B . 2014-03-26

机译：具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写辅助电路
4. Static random access memory (SRAM) write assist circuit with leakage suppression and level control [P] . 英国专利： GB2501997A . 2013-11-13

机译：具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写辅助电路
5. Static random access memory (SRAM) write assist circuit with leakage suppression and level control [P] . 美国专利： US8363453B2 . 2013-01-29

机译：具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写辅助电路