首页> 中国专利> 一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法

一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法

摘要

本发明公开了一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法。所述方法在真空腔体中设置至少两个坩埚,其中至少一个坩埚放置待蒸发物,至少一个坩埚放置金属铌,电子枪轰击所述至少两个坩埚,实现蒸发物和金属铌的熔化,金属铌熔化后发射大量热电子并在阳极吸引下加速运动与蒸发物的蒸气碰撞实现离化,形成高密度的等离子体并沉积在基板上形成涂层。本发明中蒸发过程与离化过程相互独立。通过控制电子束的蒸发功率可实现涂层的高速沉积。对于多元蒸发材料,可以通过控制蒸发功率实现涂层的成分变化。在基板上施加负偏压后可增加沉积粒子的能量。

著录项

  • 公开/公告号CN103469164B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN201310360697.9

  • 发明设计人 彭徽;周大朋;郭洪波;宫声凯;

    申请日2013-08-19

  • 分类号

  • 代理机构北京永创新实专利事务所;

  • 代理人姜荣丽

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/32 授权公告日:20150715 终止日期:20160819 申请日:20130819

    专利权的终止

  • 2015-07-15

    授权

    授权

  • 2015-07-15

    授权

    授权

  • 2014-01-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/32 申请日:20130819

    实质审查的生效

  • 2014-01-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/32 申请日:20130819

    实质审查的生效

  • 2013-12-25

    公开

    公开

  • 2013-12-25

    公开

    公开

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