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一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法

摘要

本发明公开了一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法,包括如下步骤:选取所述芯片设计电路图形中的特征电路图形;将缺陷检测设备扫描得到的缺陷位置文件输入到所述服务器中,所述服务器将所述缺陷位置文件转换为带有所述特征电路图形的缺陷文件;将所述缺陷文件导入到电子显微镜中;所述电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置。利用本发明的技术,采用电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置并进行拍照,节省了不断地在相邻芯片进行拍照的步骤,大大提高了设备的有效运作效率,同时也可以避免相邻芯片重复缺陷捕捉失败。

著录项

  • 公开/公告号CN103344660B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201310264774.0

  • 发明设计人 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺;

    申请日2013-06-27

  • 分类号G01N23/225(20060101);H01L21/66(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人竺路玲

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-08

    授权

    授权

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/225 申请日:20130627

    实质审查的生效

  • 2013-10-09

    公开

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