在形成半导体构造期间利用微波辐射的方法

摘要

一些实施例包含其中在形成半导体构造期间使用微波辐射来激活掺杂剂及/或增加半导体材料的结晶度的方法。在一些实施例中，所述微波辐射具有约5.8吉赫的频率，且在暴露于所述微波辐射期间所述半导体构造的温度不超过约500℃。