法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-08
授权
授权
2012-09-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20120410
实质审查的生效
2012-08-01
公开
公开
机译: 具有后退通道的存储器和一种制造该存储器的方法,能够通过获取门间隙的形成余量来防止电容器接触区域的导通
机译: 半导体器件的形成方法例如用于嵌入式存储器的方法,包括通过使用另一种隔离层作为掩模蚀刻一个隔离层,在导电图案的侧壁上形成单层隔离层
机译: 一种用于在动物围栏的电围栏之间的通道上形成电屏障的方法,该方法在具有电连接的壳体中具有线圈状导电带。