阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，其中，阻变式存储器包括顶电极、底电极和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极之间，所述阻变层为金属氧化物层，所述顶电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分之内，所述第一部分与所述阻变层相接触并位于所述阻变层的设定位置处，所述第一部分能够与所述阻变层中的氧相结合，所述第一部分与氧的结合能力强于所述第二部分与氧的结合能力。本发明可提高阻变式存储器的使用效果。