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在集成电路的制造中形成多个导电线的方法,形成导电线阵列的方法以及集成电路

摘要

一种在集成电路的制造中形成一对导电线的方法包括将沟槽形成到接纳于衬底上方的镶嵌材料中。将导电材料沉积于所述镶嵌材料上方且沉积到所述沟槽内以过度填充所述沟槽。将所述导电材料向后移除至少到达所述镶嵌材料以使所述导电材料中的至少一些材料保留在所述沟槽中。进行纵向穿过所述沟槽内的所述导电材料的蚀刻以在所述沟槽内形成第一导电线及第二导电线,所述第一导电线及第二导电线沿所述第一导电线及第二导电线的至少大部分长度在横向截面上彼此互为镜像。涵盖其它实施方案。

著录项

  • 公开/公告号CN102422411B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201080019969.3

  • 发明设计人 山·D·唐;张明;

    申请日2010-04-09

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-18

    授权

    授权

  • 2012-05-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8239 申请日:20100409

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

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