具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法

摘要

具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法，涉及LED芯片的生产技术领域，本发明的特点是：在ITO作为GaN基LED增透膜时，其膜厚应为d＝（m+1）λ/4n，且制备出多周期ITO薄膜，所述各周期ITO网孔图形的直径分别为50～500nm，相邻的各周期ITO网孔图形之间的间距为50～500nm。本发明可以进一步增大出光侧面积，进一步增加光的逃逸路径，使光的提取效率进一步增加。