首页> 中国专利> 水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法

水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种水冷却平板层状CuCrZr/OFHC-Cu/CVD-W面向等离子体部件及其制作方法,包括有三层结构,三层结构自下至上依次为热沉、适配层、面向等离子体材料,热沉采用沉淀硬化的CuCrZr合金材料,适配层采用厚度为1-3 mm低氧含量高纯软铜材料OFHC-Cu,面向等离子体材料采用厚度为1-4 mm的化学气相沉积钨涂层CVD-W,OFHC-Cu表面预毛化处理提高结合强度,热沉中开有通孔作为冷却水通道,冷却水通道中通有循环水。本发明提出的是一种低成本、高冷却效率和可靠性强的PFC方案,可应用于聚变装置中正常运行时热负荷相对较低(稳态热流<5 MW/m2)的面向等离子体区域。

著录项

  • 公开/公告号CN102922815B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院等离子体物理研究所;

    申请/专利号CN201210260306.1

  • 发明设计人 赵四祥;谢春意;徐跃;罗广南;

    申请日2012-07-26

  • 分类号B32B15/01(20060101);B32B15/20(20060101);C25D3/38(20060101);C23C16/06(20060101);C23C28/02(20060101);

  • 代理机构34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人余成俊

  • 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B32B 15/01 授权公告日:20150204 终止日期:20180726 申请日:20120726

    专利权的终止

  • 2015-02-04

    授权

    授权

  • 2015-02-04

    授权

    授权

  • 2013-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):B32B15/01 申请日:20120726

    实质审查的生效

  • 2013-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):B32B 15/01 申请日:20120726

    实质审查的生效

  • 2013-02-13

    公开

    公开

  • 2013-02-13

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号