同一芯片上具有独立杂质分布的双极晶体管及其制造方法

摘要

通过用于包括锗、硼和/或碳的不同材料浓度分布的外延生长的单独基极层形成工艺，在同一基板上形成了不同布局的双极晶体管，具体是为不同高频应用而优化的布局。通过使用可以相对于硅而选择性刻蚀的刻蚀终止层来避免对包括各集电极区的硅基板的刻蚀，通过低温工艺的单独的生长层的外延生长得以促进。退火工艺可以在各基极层的生长中间进行，和/或在所有晶体管基本完成后集中进行。