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一种晶片排阻端面电极的制作方法

摘要

一种晶片排阻端面电极的制作方法,是应用溅镀著膜(sputterdeposition)及金属掩模遮蔽涂布(metal mask)等技术,经印刷、条状剥离、整列、端面著膜、粒状剥离、电镀以及检验等流程,制作出晶片排阻器的端面电极,为一种免除使用贯孔基板以及烧结干燥等限制,并能增加晶片排阻端面电极的品质稳定,且产量可大幅提高的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1144289C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 乾坤科技股份有限公司;

    申请/专利号CN97112250.4

  • 发明设计人 廖世昌;

    申请日1997-07-10

  • 分类号H01L27/01;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人朱黎光

  • 地址 台湾省新竹市科学工业园区工业东九路29号1楼

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-25

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 27/01 授权公告日:20040331 申请日:19970710

    专利权的终止

  • 2004-03-31

    授权

    授权

  • 2004-03-31

    授权

    授权

  • 1999-01-20

    公开

    公开

  • 1999-01-20

    公开

    公开

  • 1998-07-15

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-07-15

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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