包含应力松弛间隙以提升芯片封装交互作用的稳定性的半导体设备

摘要

通过将单个芯片区域分为多个独立子区域(以一个或多个应力松弛区280a、280b为基础分为200a、200b、200c)可降低在复杂集成电路运行期间该子区域的各区域中的热诱导应力，从而提升包括低k介电材料或超低介电常数(ULK)材料的复杂金属化系统的总体可靠性。因此，与现有技术相比，本发明可结合半导体芯片(200)横向尺寸的增加使用大量堆迭金属化层。