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相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法

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摘要

本发明提供一种相变存储材料及其制备方法、具有所述相变存储材料的存储器及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑的化合物，化学计量为Ga_xSb_100-x，其中，0

1. 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN102544355B . 2014.12.24
2. 用于光电混合相变存储器的相变材料，其制备方法及光电混合相变存储器 [P] . 中国专利： CN112071980A . 2020-12-11
3. METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER AND METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE FORMED FROM USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR100717286B1 . 2007-05-15

机译：形成相变材料层的方法和使用相变材料形成相变存储器的方法以及由相变存储器形成的相变存储器
4. Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices [P] . 美国专利： US7807497B2 . 2010-10-05

机译：相变材料层，其形成方法，具有该相变材料层的相变存储器件以及相变存储器件的形成方法
5. Phase change materials, phase change random access memories having the same and methods of operating phase change random access memories [P] . 美国专利： US7573058B2 . 2009-08-11

机译：相变材料，具有相变材料的相变随机存取存储器以及操作相变随机存取存储器的方法