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基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

摘要

本发明提供了一种基于半导体的超材料制备方法,该方法包括:在衬底上形成半导体层;根据预设电磁参数,在所述半导体层中掺入杂质;在所述半导体层上涂覆一层光刻胶;以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻;将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上;去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶,获得超材料。本发明实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。

著录项

  • 公开/公告号CN102904028B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110145881.2

  • 发明设计人 刘若鹏;赵治亚;

    申请日2011-06-01

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518000 广东省深圳市深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-24

    授权

    授权

  • 2013-03-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q 15/00 申请日:20110601

    实质审查的生效

  • 2013-01-30

    公开

    公开

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