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具有改进型存储器块切换的半导体存储器

摘要

非易失性存储器内核包括一个或多个存储器隔间。每个存储器隔间包括一个或多个存储器块,所述存储器块包括一组非易失性存储元件。在一个实施例中,在特定存储器隔间中的存储器块共享一组读/写电路。在存储器操作期间,存储器块被转变为激活和非激活状态。将块从非激活状态转变为激活状态的过程包括在正进入激活状态的存储器块和先前处于激活状态的另一个存储器块之间共享电荷。电荷共享改进了存储器系统的性能和/或降低了存储器系统的能耗。

著录项

  • 公开/公告号CN102483948B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑迪士克3D公司;

    申请/专利号CN201080035781.8

  • 申请日2010-08-06

  • 分类号G11C5/14(20060101);G11C7/12(20060101);G11C13/00(20060101);G11C16/02(20060101);G11C16/24(20060101);G11C17/06(20060101);G11C17/18(20060101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人杨生平;钟锦舜

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-21

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 5/14 变更前: 变更后: 申请日:20100806

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-06-29

    专利权的转移 IPC(主分类):G11C 5/14 登记生效日:20160606 变更前: 变更后: 申请日:20100806

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-12-10

    授权

    授权

  • 2012-07-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/14 申请日:20100806

    实质审查的生效

  • 2012-05-30

    公开

    公开

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