公开/公告号CN102483948B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克3D公司;
申请/专利号CN201080035781.8
发明设计人 托马斯·严;卢卡·法索里;罗伊·E.·史契尔兰;
申请日2010-08-06
分类号G11C5/14(20060101);G11C7/12(20060101);G11C13/00(20060101);G11C16/02(20060101);G11C16/24(20060101);G11C17/06(20060101);G11C17/18(20060101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人杨生平;钟锦舜
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:22:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-21
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 5/14 变更前: 变更后: 申请日:20100806
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-06-29
专利权的转移 IPC(主分类):G11C 5/14 登记生效日:20160606 变更前: 变更后: 申请日:20100806
专利申请权、专利权的转移
2014-12-10
授权
授权
2012-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/14 申请日:20100806
实质审查的生效
2012-05-30
公开
公开
机译: 具有冗余电路的半导体存储器,该冗余电路具有将功率从普通存储块切换到备用存储块的装置
机译: 具有通过多个存储器层垂直通过的通道结构的半导体存储器,并且具有存储器单元块和虚拟存储器单元块
机译: 具有多个存储器块的非易失性半导体存储器件,具有存储器字符串和共享块解码器,以允许减少选择信号的数量