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峰值响应在532 nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-04-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 29/04 授权公告日:20141224 终止日期:20170401 申请日:20120401

专利权的终止
2014-12-24

授权

授权
2014-12-24

授权

授权
2012-09-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 29/04 申请日:20120401

实质审查的生效
2012-09-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 29/04 申请日:20120401

实质审查的生效
2012-07-25

公开

公开
2012-07-25

公开

公开

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1. 峰值响应在532 nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法 [P] . 中国专利： CN102610472B . 2014.12.24
2. 一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法 [P] . 中国专利： CN107919256A . 2018-04-17
3. Photoelectric cell with reflection - a photocathode [P] . 德国专利： DE1104632B . 1961-04-13

机译：反射式光电电池-光电阴极
4. PHOTOELECTRICALLY SENSITIVE DEVICES WITH WINDOW MEANS ADAPTED TO INCREASE THE ABSORPTION OF RADIATION BY THE PHOTOELECTRICALLY SENSITIVE CATHODE [P] . 美国专利： US3514658A . 1970-05-26

机译：具有窗口装置的光电敏感装置，可提高光电敏感阴极对辐射的吸收
5. Photocell with adjustable sensitivity to red light - has grid electrode near and parallel to photocathode, at adjustable DC voltage [P] . 德国专利： DE2651249A1 . 1978-05-18

机译：对红光敏感度可调的光电管-在可调直流电压下，栅电极靠近并平行于光电阴极