隔离型功率晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型功率晶体管的制造方法，本发明方法通过在栅多晶硅顶部形成的绝缘介质层、以及绝缘介质层侧面形成的侧壁介质层作为刻蚀形成器件之间的隔离层沟槽的硬掩膜，不需要增加额外的掩膜版就能在晶体管之间形成绝缘隔离层，既不会降低芯片内晶体管的密度，又能减少器件之间的串扰影响，有利于提高减少晶体管尺寸和提高芯片内晶体管的密度，能获得具有更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的功率器件。本发明方法因为不需要增加额外的掩膜版，所以还能降低制造成本。